鑫松電器潔凈氮?dú)夤衲档脫碛?/h2> 發(fā)布時(shí)間：2024/12/2 點(diǎn)擊：143次

產(chǎn)品應(yīng)用：

適合半導(dǎo)體前端單晶硅制程中硅片及晶圓盒的存放,防止硅片的返顆粒，返霧現(xiàn)象；由于大部分的存儲(chǔ)柜或者是氮?dú)夤裨O(shè)計(jì)都為全封閉環(huán)境，只控制濕度及氧含量濃度這塊，并無(wú)自?xún)艄δ?故內(nèi)部容易積聚大量灰塵，而這些灰塵極可能粘附在存儲(chǔ)品上。鑫松電器潔凈氮?dú)夤駝t適合存放需要低濕保存，同時(shí)又需要避免灰塵污染的物品.

 

相關(guān)技術(shù)指標(biāo)： 

1）潔凈等級(jí)

專(zhuān)業(yè)高效潔凈過(guò)濾裝置，濾網(wǎng)采用進(jìn)口超細(xì)玻璃纖維,確保潔凈氮?dú)夤駜?nèi)CLASS 10~100級(jí)/1000級(jí)（10級(jí)一般是指空柜或每層放置固定數(shù)量晶圓盒情況下，必潔淨(jìng)度能逹到須滿足每立方英尺內(nèi)顆粒≦10ea@0.3um & ≦20ea@0.2um）。   

2）TDH實(shí)驗(yàn)

即存放在潔凈氮?dú)夤駜?nèi)經(jīng)過(guò)干燥2小時(shí)的硅片不能有不正?；虺瑯?biāo)返顆粒的現(xiàn)象產(chǎn)生(返顆粒取樣測(cè)試后總數(shù)平均數(shù)與原有硅片顆粒數(shù)對(duì)比≦10ea (包括0.2um及0.3um))   

3）降濕速度

除濕性能可達(dá)到5%以下,空柜或每層放置固定數(shù)量晶圓盒，在氮?dú)饬髁坎淮笥?0L/M的情況下，濕度從50%降至10%所需時(shí)間不大于30min；

4) 進(jìn)口無(wú)塵風(fēng)機(jī)：采用進(jìn)口無(wú)塵室專(zhuān)用FFU風(fēng)機(jī)，面風(fēng)速：0.3～0.45m/s；

5）靜電殘余值測(cè)定鑫松電器全功能潔凈氮?dú)夤瘢ㄟx配）

潔凈氮?dú)夤駜?nèi)放置的硅片盒，經(jīng)過(guò)干燥2小時(shí)后，硅片盒取樣及定點(diǎn)測(cè)試靜電值必須≦1kv

6）柜內(nèi)風(fēng)速均勻性

潔凈氮?dú)夤駜?nèi)有氮?dú)獾臒o(wú)死角，可使用風(fēng)速測(cè)定儀來(lái)檢測(cè)內(nèi)部硅片放置各點(diǎn)的風(fēng)速，不能有較大差異。

7）溫濕度顯示及記錄管理。

溫濕度顯示：采用4英寸超大LED顯示，有效視距可達(dá)30米；

溫濕度顯示監(jiān)控: 可對(duì)溫濕度作24小時(shí)不間斷的監(jiān)控，在潔凈柜在完全關(guān)閉的情況下，濕度不能有超過(guò)±5%RH的波動(dòng)。

 

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